Жорес Іванович Алферов народився 15 березня 1930 року у Вітебську.

Він вступив до Ленінградського електротехнічного інституту ім. В.І.Леніна(\"ЛЕТІ\"), на факультет електроніки, за фахом електровакуумна техніка. Закінчив інститут Жорес Іванович в 1952 році.

З 1953 року Жорес Алферов працює у фізико-технічному інституті РАН ім. А.Ф. Іоффе, очоливши його в 1987 році.

У 1961 році Жорес Алферов одержав ступінь кандидата технічних наук. У 1970 році він одержує ступінь доктора фізико-математичних наук.

У 1972 році Жорес Іванович став професором ЛЕТІ. З 1973 року став завідуючим кафедрою оптоелектроніки цього інституту.

У період з 1990 до 1991 року Жорес Алфьоров посідав посаду віце-президента АН СРСР і голову президії Ленінградського наукового центру.

У 1988 році Жорес Алфьоров став деканом фізико-технічного факультету Ленінградського політехнічного інституту.

З 1991 року Жорес Іванович Алфьоров - віце-президент РАН і голова президії Санкт-Петербурзького наукового центру РАН.

Жорес Алферов працює у області фізики напівпровідників, квантової і напівпровідникової електроніки, технічної фізики.

Жорес Іванович брав участь в створенні перших радянських транзисторів, фотодіодів і потужних германієвих випрямлячів.

Жорес Алферов відкрив явище надінжекції в гетероструктурах. Він показав, що в гетероструктурах можна принципово інакше управляти світловими і електронними потоками. Жорес Іванович Алфьоров відкрив перші \"ідеальні\" гетероструктури: арсенід алюмінію - арсенід галію (Al As - Ga As).

Жорес Іванович створив напівпровідникові лазери на основі подвійних гетероструктур, реалізував безперервний режим генерації при кімнатній температурі.

В результаті роботи Алфьорова з'явився новий напрям - фізика гетероструктур, а також оптоелектроніка і електроніка на їх основі.

Жорес Алферьов - головний редактор журналу \"Листи у Журнал технічної фізики\".

Жорес Іванович Алфьоров - автор більше 50 винаходів і 500 наукових робіт, зокрема трьох монографій.

Жорес Іванович нагороджений орденами Жовтневої Революції, Леніна \"Знак Почета\", Трудового Червоного Прапора \"За заслуги перед Отечеством\" 3 ступеня, різними медалями СРСР і Російської Федерації, японською премією Кіото (Kyoto Prize) за 2001 рік.

Жорес Іванович Алфьоров разом з Гербертом Кремером удостоєний Нобелівської премії по фізиці за 2000 рік. Вони разом відкрили швидкі опто- і мікроелектронні компоненти на базі багатошарових напівпровідникових структур (напівпровідникових гетероструктур). На базі цих технологій були створені швидкі транзистори і лазерні діоди.