Профессор Фуджио Масуока получил степень бакалавра, магистра и защитил свою докторскую диссертацию по электротехнике в Университете Тохоку (Сендай, Япония) соответственно в 1966, 1968, 1971 годах.

В 1971 году он устроился в Ислледовательский центр Toshiba ( Toshiba Research and Developement Center).

Масуока занимался изучением и разработкой приборов на МОП-струтктурах. В особенности его интересовали внутренняя память больших рамеров, так называемая, Флеш-память, EEPROM, EPROM, DRAM, SRAM, датчики изображения, такие как на CCD матрице, а также высокоскоростная логика основанная на кремниевых и комбинированных полупроводниках.

Доктор Масуока является членом Института инженеров электротехники и электроники, а также Института инженеров по электронике, информационным и коммуникационным технологиям.

Патенты зарегистрированные на имя Фуджио Масуока ( Miyagi, JP): "Полупроводниковая память состоящая из ячейки(-ек) с поверхностью (-ями) накопления заряда и управляющего затвора окружающего полупроводниковый слой островкого типа."